芯片巨头SK海力士准备打破美国对华极紫外光曝光机出口相关限制，进行旗下中国半导体工厂技术提升。
外界解读，随着半导体市场复苏以及中国高性能半导体制造能力提升，一些韩国芯片企业准备采取一切可以使用的方法，提高在华工厂制造工艺水平。
韩国业界人士表示，SK海力士计划今年将中国无锡厂部分DRAM生产设备提升至第四代10纳米工艺。
无锡厂是SK海力士的核心生产基地，产量约占其DRAM总产量40%。 目前无锡厂正在生产两款较旧的10纳米DRAM。
《首尔经济》指出，SK海力士要进行无锡厂技术升级并不容易，因为美国为阻止中国半导体产业崛起，2019年就开始单方面限制中国取得制造尖端半导体的EUV曝光机。
随着全球半导体市场复苏，SK海力士认为，高性能芯片产能扩张刻不容缓，需要10纳米级第四代DRAM或更高版本产品，以维持市占率。
SK 海力士总裁郭鲁正出席CES时表示：「我们自去年以来就地缘政治问题组建了内部工作组，相信企业风险由此得到很大程度的缓解。」
