台积电、英特尔、三星是全球半导体业的3强，在先进制程上，都说自家制程最领先，中媒《芯智讯》报导，研究公司TechInsights分享了3家先进制程的比较图，显示出台积电的3纳米无论晶体管密度、运算效能、能耗效率等都为第1.
此前英特尔首席执行官季辛格受访指出，Intel 18A与台积电2纳米制程的晶体管密度差不多，但英特尔的背后供电更加优秀，也因此，这让硅芯片有更佳面积效率，意味成本降低，供电较佳代表表现效能更高，让Intel 18A略为领先台积电N2.
报导指出，英特尔计划在今年下半年量产Intel 18A，并在明年推出相关产品，但英特尔并没有公布能耗数据。 但TechInsights公布数据显示，从晶体管密度看，不论台积电3纳米N3制程或强化版N3E，晶体管密度283MTx/mm²(每平方毫米百万晶体)、273MTx/mm²，都高于英特尔Intel 18A的195MTx/mm²。
报导指出英特尔Intel 18A采背后供电，对降低能耗有一定帮助，但帐面数字来看，Intel 18A大幅超越台积电3纳米性能还是不太可能。
而根据台积电说法，将于今年推出性能更强的N3P技术，将提供与Intel 18A相当的功号、性能和晶体管密度，且声称N2交全面优于N3P和Intel 18A。
不过报道认为，目前各方说法还互相存在矛盾，具体情况要等到Intel 18A真正量产后才更为明确。
另外报导还指出，除了英特尔，三星先跨入GAA架构Nanosheet制程，力拼弯道超车台积电。 但在比较晶体管密度、性能、能耗后，同年制程三星都落后台积电，台积电晶体管密度也约是三星1.5倍以上;先进制程客户数量方面，台积电也远超三星。
台积电先前表示，2纳米如期将在明年下半年量产，3纳米家族也持续扩大强化版。 N3E于去年第4季量产后，之后还有N3P和N3X，近期人工智能需求激增，也支持节能运算需求加速成长，又使3纳米家族营收占比提高。
